웨이퍼가공

웨이퍼 가공
조립 및 검사
반도체 제조 공정 순서
단결정 성장→규소봉 절단→웨이퍼 표면 연마→회로설계→Mask 제작→산화공정→감광액도포→노광공정→현상공정→식각공정→이온주입공정→화학기상 증착→금속배선→웨이퍼자동선별→웨이퍼착→금속연결→성형→최종검사
반도체 3대 원재료: 웨이퍼, 마스크, 리드프레임이다.
웨이퍼 (wafer) : 반도체물질로 만들어진 얇고 둥근 조각. 이 위에 집적회로를 만들어 넣게 된다.현재실리콘웨이퍼를 많이 사용하고 있으며, 직경크기에 다라 4", 5", 6",8", 12"를 사용하고 있다.
마스크(mask) : 웨이퍼 위에 만들어질 회로패턴의 모양을 각 층(layer)별로 유리판 위에 그려사진 공정시 스테퍼 (반도체제작용 카메라) 의 사진건판으로 사용된다.
리드프레임(lead frame) : 보통 구리로 만들어진 구조물로서, 조립공정시 칩이 이 위에 놓여지게 되며 가는 금선(金線)으로 칩과 연결된다. 이렇게 하여 IC칩이 외부와 전기신호를 주고 받게 되는것이다.
반도체 제조 공정
웨이퍼(wafer) 제조 공정
반도체란 무엇인가?
부도체나 다를 바 없는 진성반도체에 특정불순물을 집어넣어 주면 전류가 흐르기 시작한다.여기서 불순물은 전류의 근원, 이렇게 불순물로 자신의 전기전도도를 조절할 수 있는 반도체를 불순물(Extrinsic)반도체라고 한다.
불순물반도체에는 p-type과 n-type 두 가지가 있다.
◀ 순수한 실리콘, 즉 진성반도체에 주기율표상의 III족 원소를 소량 넣어주면 전자가비어있는상태. 즉 정공(Hole)이 생긴다. 이 상태에서 실리콘에 전압을 걸어주면 전류가 흐르게 되는 것이다. 이를 p-type반도체또는 p-type실리콘이라고 한다.
◀ 반면에 주기율표상의 V족원소를 소량넣어주면 전자가 남는 상태, 즉 잉여전자가 생긴다. 이 상태에서 실리콘에 전압을걸어주면 제자리를못 찾은 이 잉여전자가자유전자가 되며 전류가흐르게 되는것이다. 이를 n-type반도체 또는 n-type실리콘이라고 한다.
◀ III족인 붕소원자의 모형
◀ V족인 비소원자의 모형
웨이퍼(wafer) 제조 공정
◀ 단결정 성장(Crystal Growing)